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By Andreas Stadler

Sonnenenergie lässt sich neben den handelsüblichen Silizium-Solarzellen auch umweltfreundlicher, effizienter und attraktiver mit Dünnschicht-Solarzellen in el. Energie wandeln. Erfolgversprechend sind Chalkogenid-Dünnschicht-Solarzellen. Andreas Stadler entwickelt anhand ausgesuchter, verlässlicher Modelle (Swanepoel, Quantentheorie) neue, näherungsfreie und umfassende Modelle für die optoelektrische examine und Simulation von Dünnschichten und Solarzellen. Der systematische Zusammenhang von Messergebnissen gesputterter TCO- und Sulfid-Schichten sowie gänzlich in situ gesputterter Dünnschicht-Solarzellen aus diesen Materialien wird entlang der verwendeten Prozessparameter aufgezeigt.

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J"- s C ot gilt 0' I 0]-(_) fl s -0' - -I-os -0]-(_) r, t O. t = 0, B o = Ver wend et w urde, dass die Bewegun g eine r Elem entarl adung inn erhalb eine r Einheitszelle eine rseits eine r wide rsta nds be ha ftete n Leitung R = U/ I = P d / A , a nde re rse its eine r Umladung der Kap azit ät der Einheitszelle C = Q/U = s A/d e nts pr icht. 63) br ingen lässt. Dies nun ist w iede rum eine lineare DGL 1. Ordnung, die zu z = }' oo/ /k' gelöst werden kann . Die Lösung der ursprünglichen Bernoullischen DGL ergibt sich dann zu s = 1/z = k 2 / Jloo/ k = 2tr/ A und od er 0)/ k = 1 / ji;;;.

Sc/I T. Sc. Sc/I~ A~" T, . T. •Sc• RISc~1 R/,Sc/I~ TISc/rl RSc. =1: Ro ASt. =o T$do =1:T, p. >p-+ dp -+ O ) R CJ(p"pp, ro dp = a p I,Seht R a Po I,Sehe _ 1' Iin a und die Reih en entwicklung In a = 'L(-I)"+l(a - I)" In, a E p ;21 n EIN verwend et wurden. Mit zunehmender Ordnung p geht die Summe 'L;:o (T#:SChR;,SChtR;,sche Y in GI. 1) monoton ste ige nd gegen eine n Gren zwert. Für die Praxis ist Po so zu wä hle n, da ss der Einfluss de s Summanden (T#:SchR;,SChIR;,Sche Yo auf die Gesamtwerte der Reflexion RSch und Transmi ssion TSch kleiner als der Meßfehler wird.

50) und GI. 19) Hierin wurde für nichtmagnetis che Materia lien GI. 18) zu ber echnen, benötigt ~Sch man = ~e die Dielektrizitätskonstante Ee, der Induktionskonstante ~o = ~o verwendet. Um nun n, und nD über Beträge der Wellen länge Ae, der des Mediums sowie der Leitfähigkeit (JSch der Schicht. nSch/ ne kann aus GI. 9) bis GI. 16) entnommen werden. Über das Snelliussc he Gesetz GI. Sch (in) der Schicht über GI. 9) bis GI. 16) als Funkt ionen der wellenläng en- oder energieabhä ngigen Reflexionen RSch und Tran sm ission en Tsa, bestimmt wer den, wen n die entsprechende n Größen des Mediums e um die Schicht Sch bekannt sind.

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